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氮化镓半导体器件市场

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  • 出版日期:2021年12月
  • 页:135
  • PDF格式:
  • 报告ID: PM2134
  • 基准年:2020年
  • 历史数据:2017 - 2019年

报告总结

2020年,全球氮化镓半导体器件市场价值16.8亿美元,预计在预测期内将以21.6%的复合年增长率增长。推动氮化镓半导体器件市场需求的关键属性之一是氮化镓优于硅的带隙,使其成为高功率应用的首选。

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氮化镓的带隙为3.2电子伏(eV)。相反,硅的带隙只有1.1电子伏。优良的导热性、最佳的开关频率、高击穿电压和动态电性能使氮化镓半导体器件的市场需求呈指数级增长。电力电子技术的进步导致了对高效电子器件的强劲需求,推动了氮化镓器件的发展。此外,人们越来越关注减少电子产品的能量损失,并以更少的功率消耗更好的性能创造巨大的市场潜力。

新冠肺炎疫情的突然爆发,对氮化镓半导体器件制造商和价值链供应商的运营和供应链造成了影响。出口壁垒、材料供应中断、设备市场需求大幅减少、制造业停产、严格的封锁措施、消费者预算紧缩导致需求不足、全球经济下滑等,导致全球对氮化镓半导体器件的需求在短期内严重下降。

氮化镓半导体器件市场2030

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产业动态

增长动力
推动全球氮化镓半导体器件市场的一些关键因素是电力电子领域不断增长的高速革命,宽带隙技术向尽可能广泛的范围的激增,从传统的硅基技术转向先进的氮化镓基技术,以及电子领域印刷电路板(PCB)晶圆尺寸的缩小或小型化。它在高温条件下也能有效工作,并优选用于复杂电路中。

氮化镓已经成功地用于生产led、光子学和RD组件。随着功率开关和转换设备的增加,它现在在主流应用中得到了认可。推动其采用的关键因素是改善设备性能、提高效率以及在极端环境下提供可靠的操作。

报告细分

市场根据产品、组件、晶圆尺寸、最终用途和区域进行细分。

通过产品

通过组件

按晶圆尺寸

的最终用途

按地区

  • GaN射频器件
  • 光电半导体
  • 功率半导体
  • 晶体管
  • 二极管
  • 整流器
  • 功率集成电路
  • 其他人
  • 2英寸
  • 4英寸
  • 6英寸
  • 8英寸
  • 航空航天与国防
  • 汽车
  • 消费电子产品
  • betway体育亚洲版入口
  • 信息与通信技术
  • 工业与电力
  • 其他人
  • 北美(美国、加拿大)
  • 欧洲(德国、法国、英国、意大利、西班牙、俄罗斯、荷兰)
  • 亚太地区(日本、中国、印度、韩国、马来西亚、台湾)
  • 拉丁美洲(巴西、墨西哥、阿根廷)
  • 中东及非洲地区(以色列、阿联酋、沙特阿拉伯、南非)

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产品洞察

预计2021年,光半导体市场将占氮化镓半导体器件行业的最高收入份额。该细分市场受到消费电子产品(如led、笔记本电脑和手持电子设备)以及工业应用需求不断增长的推动,这些需求都需要提高效率。在汽车和医疗保健等突出行业也出现了光电子技术。必威体育app手机版官网betway体育亚洲版入口对平视显示器和LED显示面板的需求不断增长,推动了该细分市场的增长。

由于消费电子、汽车和航空航天等垂直行业对高频开关器件的市场需求不断增长,功率半导体细分市场在预测期内可能会实现最高的复合年增长率。必威体育app手机版官网大型硅片制造商和电子行业的利益相关者尚未意识到氮化镓电力电子器件领域的潜力。

按组件划分的洞察力

电信部门对基站大功率晶体管的需求增加,导致在蓬勃发展的4G技术中,基于gan的功率晶体管的采用激增。从硅基晶体管逐渐转向先进的氮化镓基晶体管,由于高效率和满足高功率和频率的需求,导致了晶体管在市场上的高份额。

由于对紧凑型电子产品的需求不断增加,无线通信的进步,以及下一代移动网络的使用激增,预计功率IC市场将以最高的复合年增长率增长。此外,提高功率密度以在更紧凑或更小的空间中实现更大的功率,提高了氮化镓半导体器件市场对集成电力电子设备的需求。

地理概述

北美主导了氮化镓半导体器件市场,在氮化镓半导体技术方面进行了大量投资,并在整个行业垂直领域采用了先进的电子产品。美国领先的半导体制造商,如德州仪器(Texas Instruments)和安森半导体(On semiconductor),都有氮化镓研究项目,展示了他们的大量技术投资。此外,政府积极推广节能设备的采用,鼓励减少市场上的能源损失。

亚太地区氮化镓半导体器件市场预计将在预测期内见证最快的增长,因为随着城市化的快速增长,消费电子产品的增加,汽车行业集成电子产品的增加,以及该地区的快速技术进步。该地区是硅片制造中心,主要国家是中国、日本、韩国和台湾。

新兴经济体,如中国、印度和东南亚国家,在消费和企业电子产品中led的使用一直在激增。这证实了对高频器件和晶圆行业的需求,推动了市场的发展。此外,数字技术正在赶上发展中国家的步伐,确保了氮化镓电子设备在预测期内的光明市场前景。

竞争的洞察力

氮化镓半导体器件行业的主要参与者为获得竞争优势而采取的一些关键战略举措包括并购、新产品发布、开设制造基地和扩大分销网络。进一步签订长期合同以及产品和技术创新是当前形势下的主流活动。

在全球氮化镓半导体器件市场上竞争的一些主要参与者是Cree, Inc., Efficient Power Conversion Corporation,富士通有限公司,GaN Systems Inc., MACOM Technology Solutions, Qorvo Inc., Cree Inc., Infineon Technologies AG, NexgenPower Systems, NXP semiconductor, Texas Instruments Incorporated;东芝公司、模拟设备公司、住友电气工业公司和ST微电子公司。必威体育app手机版官网

氮化镓半导体器件市场报告范围

报告的属性

细节

2020年市场规模价值

16.8亿美元

2029年的收入预测

77.8亿美元

CAGR

2021 - 2029年为21.6%

基准年

2020

历史数据

2017 - 2019

预测期

2021 - 2029年

量化单位

从2021年到2029年的营收为百万美元/亿美元,CAGR

部分覆盖

按产品,按组件,按晶圆尺寸,按最终用途,按地区

区域范围

北美,欧洲,亚太,拉丁美洲,中东和非洲

主要的公司

Cree, Inc., Efficient Power Conversion Corporation, Fujitsu Ltd., GaN Systems Inc., MACOM Technology Solutions, Qorvo Inc., Cree Inc., Infineon Technologies AG, NexgenPower Systems, NXP Semiconductor, Texas Instruments Incorporated;东芝公司、模拟设备公司、住友电气工业公司和ST微电子公司。必威体育app手机版官网

关键的外卖
氮化镓半导体器件市场规模报告,2021 - 2029